PL
檢測原理
· 光致發(fā)光( Photoluminescence，簡稱PL) ，太陽電池的缺陷往往限制其光電轉換效率和使用壽命
· 光致發(fā)光可快速通過少子壽命變化進行硅片檢測，其原理是利用光致發(fā)光原理獲取晶體硅的熒光照片，且有高分辨率，用以探測硅片的粗糙面及內部破損情況
· 相對比EL測試需要接觸樣品才能進行，PL測試不接觸樣品，因此可對生產電池片中各生產過程進行監(jiān)控
| 項目 | 規(guī)格 |
| 設備尺寸 | 長450mm寬450mm高770mm |
| 適用最大尺寸 | 175*175mm |
| 適用Wafer類型 | 單晶、多晶 |
最高產能 | >3600PCS/小時 |
| 像素精度 | <0.34mm(0.5K 線掃相機) |
| 檢測缺陷精度 | <0.34mm |
UPTime | >98% |
| 項目 | 規(guī)格 |
黑心、黑邊、黑 | 單晶、多晶 |
| 隱裂 | 單晶、多晶 |
| 劃痕 | 單晶、多晶 |
污染 | 單晶、多晶 |
| 斷柵 | 單晶、多晶 |
燒結不均 | 單晶、多晶 |
| 位錯 | 多晶 |
| 破損 | 單晶、多晶 |
成像效果
